Справочник MOSFET. MS40N06

 

MS40N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS40N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MS40N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS40N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  bruckewell
ms40n06.pdfpdf_icon

MS40N06

MS40N06 60V N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION The MS40N06 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . The QM6006M6 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. FEATURES Ad

 9.1. Size:1130K  cn hmsemi
hms40n10d.pdfpdf_icon

MS40N06

HMS40N10DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS40N10D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi

Другие MOSFET... MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , IRFZ24N , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 .

History: AFP9434WS | MMF65R600QTH | SQV90N06-05 | SRADM1004 | SGSP316 | SIHU5N50D | PDQ3714

 

 
Back to Top

 


 
.