MS44P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS44P15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MS44P15 MOSFET
MS44P15 Datasheet (PDF)
ms44p15.pdf

MS44P15 P-Channel MOSFET FEATURES These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, VDS RDS(ON) (mohm) ID (A) printers, PCMCIA cards, cellular and
Otros transistores... MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , IRFP450 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 .
History: 2SK1712 | BRD5N65 | SSF65R600S2 | SSF65R360S2E | SLP60R190S2 | AONS36321 | SVD540D
History: 2SK1712 | BRD5N65 | SSF65R600S2 | SSF65R360S2E | SLP60R190S2 | AONS36321 | SVD540D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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