MS44P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS44P15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 66 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

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MS44P15 Datasheet (PDF)

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ms44p15.pdf

MS44P15 P-Channel MOSFET FEATURES These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, VDS RDS(ON) (mohm) ID (A) printers, PCMCIA cards, cellular and

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