Справочник MOSFET. MS44P15

 

MS44P15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS44P15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для MS44P15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS44P15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  bruckewell
 ms44p15.pdf pdf_icon

MS44P15

MS44P15 P-Channel MOSFET FEATURES These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, VDS RDS(ON) (mohm) ID (A) printers, PCMCIA cards, cellular and

Другие MOSFET... MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , P60NF06 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 .

History: SI2318CDS-T1-GE3 | NTMFS4927N

 

 
Back to Top

 


 
.