MS44P15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MS44P15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для MS44P15
MS44P15 Datasheet (PDF)
ms44p15.pdf

MS44P15 P-Channel MOSFET FEATURES These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, VDS RDS(ON) (mohm) ID (A) printers, PCMCIA cards, cellular and
Другие MOSFET... MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , P60NF06 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 .
History: VB264K | SI4056DY | HPD026N02STA | BRD50P06 | IRLML6401TRPBF
History: VB264K | SI4056DY | HPD026N02STA | BRD50P06 | IRLML6401TRPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884