MS48P25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS48P25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 369 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS48P25
MS48P25 Datasheet (PDF)
ms48p25.pdf
MS48P25P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)13 @ VGS = -10V -11.5 Low thermal impedance-3019 @ VGS = -4.5V -9.3 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
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History: ATP112
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