MS48P25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS48P25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 369 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MS48P25 MOSFET
MS48P25 Datasheet (PDF)
ms48p25.pdf

MS48P25P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)13 @ VGS = -10V -11.5 Low thermal impedance-3019 @ VGS = -4.5V -9.3 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
Otros transistores... MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , 10N65 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 .
History: RSD160P05 | FQP5N50C | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2SK1416
History: RSD160P05 | FQP5N50C | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2SK1416



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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