Справочник MOSFET. MS48P25

 

MS48P25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS48P25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 369 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MS48P25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS48P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  bruckewell
 ms48p25.pdf pdf_icon

MS48P25

MS48P25P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)13 @ VGS = -10V -11.5 Low thermal impedance-3019 @ VGS = -4.5V -9.3 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25

Другие MOSFET... MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , 10N65 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 .

History: FTD02N60C | 2SK3119 | SQM200N04-1M1L | NTMFD5C466NT1G | IXFN110N60P3 | R8002ANX | TPC65R170M

 

 
Back to Top

 


 
.