MS49P63 Todos los transistores

 

MS49P63 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS49P63
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de MS49P63 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS49P63 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  bruckewell
 ms49p63.pdf pdf_icon

MS49P63

MS49P63P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)120 @ VGS = -10V -3.5 Low thermal impedance -60180 @ VGS = -4.5V -2.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

Otros transistores... MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , STF13NM60N , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE .

History: IPB100N04S2-04 | IRFS9N60APBF | IXFT13N100

 

 
Back to Top

 


 
.