Справочник MOSFET. MS49P63

 

MS49P63 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS49P63
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MS49P63

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS49P63 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  bruckewell
 ms49p63.pdf pdf_icon

MS49P63

MS49P63P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)120 @ VGS = -10V -3.5 Low thermal impedance -60180 @ VGS = -4.5V -2.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

Другие MOSFET... MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , STF13NM60N , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE .

History: WSD2018ADN22 | TPC6005 | GSM4804 | WMS08P04TS | VB562K | STP4NB50 | SE200100G

 

 
Back to Top

 


 
.