MS49P63 - описание и поиск аналогов

 

MS49P63. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS49P63

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для MS49P63

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS49P63 даташит

 ..1. Size:515K  bruckewell
 ms49p63.pdf pdf_icon

MS49P63

MS49P63 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 120 @ VGS = -10V -3.5 Low thermal impedance -60 180 @ VGS = -4.5V -2.8 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

Другие MOSFET... MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , IRFP250 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE .

History: H90N71P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.