MS5N50-A Todos los transistores

 

MS5N50-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS5N50-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MS5N50-A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS5N50-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  bruckewell
 ms5n50-a.pdf pdf_icon

MS5N50-A

MS5N50-A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50-A is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=1

 8.1. Size:850K  bruckewell
 ms5n50.pdf pdf_icon

MS5N50-A

MS5N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150

Otros transistores... MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , 2N60 , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 .

History: H05N50E | H5N5006LD | KDB15N50 | JCS5N50VC | IRF9Z10 | FQPF5N50CYDTU | IRF730AL

 

 
Back to Top

 


 
.