MS5N50-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS5N50-A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 101 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 83 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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MS5N50-A Datasheet (PDF)
ms5n50-a.pdf
MS5N50-A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50-A is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=1
ms5n50.pdf
MS5N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150
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