Справочник MOSFET. MS5N50-A

 

MS5N50-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS5N50-A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS5N50-A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS5N50-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  bruckewell
 ms5n50-a.pdf pdf_icon

MS5N50-A

MS5N50-A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50-A is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=1

 8.1. Size:850K  bruckewell
 ms5n50.pdf pdf_icon

MS5N50-A

MS5N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150

Другие MOSFET... MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , IRFZ46N , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.