MS5N60 Todos los transistores

 

MS5N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS5N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MS5N60 datasheet

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MS5N60

MS5N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=650V typically @ Tj=150

Otros transistores... MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , AO3407 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 .

History: BSZ0501NSI | IPB100N12S3-05 | HM18N40F | EM6K33 | AOTF266L

 

 

 

 

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