MS5N60 - описание и поиск аналогов

 

MS5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS5N60 даташит

 ..1. Size:850K  bruckewell
 ms5n60.pdf pdf_icon

MS5N60

MS5N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=650V typically @ Tj=150

Другие MOSFET... MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , AO3407 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 .

History: 2SK2038 | JMPL1050APD | AON6908 | DMP3105LVT | BSZ0506NS | PDS6904

 

 

 

 

↑ Back to Top
.