Справочник MOSFET. MS5N60

 

MS5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  bruckewell
 ms5n60.pdf pdf_icon

MS5N60

MS5N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=650V typically @ Tj=150

Другие MOSFET... MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , 7N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 .

History: 2SK3109-AZ

 

 
Back to Top

 


 
.