MS60P02NE Todos los transistores

 

MS60P02NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS60P02NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MS60P02NE Datasheet (PDF)

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MS60P02NE

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

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History: 5N65AF | IRFF9232

 

 
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