MS60P02NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS60P02NE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS60P02NE
MS60P02NE Datasheet (PDF)
ms60p02ne.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri
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Liste
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