Справочник MOSFET. MS60P02NE

 

MS60P02NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS60P02NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MS60P02NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  bruckewell
 ms60p02ne.pdf pdf_icon

MS60P02NE

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TK17E80W | H50N03J | PJF7NA60 | BLV4N60 | VBZA4420 | SWD062R68E7T | MTD20N03HDLT4G

 

 
Back to Top

 


 
.