MS60P02NE - аналоги и даташиты транзистора

 

MS60P02NE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS60P02NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MS60P02NE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS60P02NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  bruckewell
 ms60p02ne.pdf pdf_icon

MS60P02NE

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

Другие MOSFET... MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , RU6888R , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 .

History: ZXM66P02N8TC | PSMN1R0-30YLD | TPP65R160C | MMN8818N | IRHM7160

 

 
Back to Top

 


 
.