MS60P02NE - описание и поиск аналогов

 

MS60P02NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS60P02NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MS60P02NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS60P02NE даташит

 ..1. Size:134K  bruckewell
 ms60p02ne.pdf pdf_icon

MS60P02NE

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

Другие MOSFET... MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , 18N50 , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 .

History: KP504V | JMPF8N60BJ | SE4020B | JMPL1050AG | BSZ060NE2LS | SMG2343 | NTD4963N-1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.