Справочник MOSFET. MS60P02NE

 

MS60P02NE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MS60P02NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.77 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MS60P02NE

 

 

MS60P02NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  bruckewell
 ms60p02ne.pdf

MS60P02NE MS60P02NE

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS60P02NE P-Channel 60V (D-S) MOSFET General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, pri

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top