MS69N68 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS69N68
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS69N68

MS69N68 Datasheet (PDF)

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ms69n68.pdf

MS69N68Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYrDS(on) (m)VDS (V) ID(A)Key Features: 22 @ VGS = 4.5V6.8 Low r trench technology DS(on)20 30 @ VGS = 2.5V5.8 Low thermal impedance 46 @ VGS = 1.8V4.7 Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media P

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History: SMN0470F | AOT12N50 | IXFX94N50P2

Liste

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