MS69N68 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS69N68
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS69N68

MS69N68 Datasheet (PDF)

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ms69n68.pdf

MS69N68Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYrDS(on) (m)VDS (V) ID(A)Key Features: 22 @ VGS = 4.5V6.8 Low r trench technology DS(on)20 30 @ VGS = 2.5V5.8 Low thermal impedance 46 @ VGS = 1.8V4.7 Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media P

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Liste

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