MS69N68 Todos los transistores

 

MS69N68 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS69N68

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MS69N68 datasheet

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MS69N68

MS69N68 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Key Features 22 @ VGS = 4.5V 6.8 Low r trench technology DS(on) 20 30 @ VGS = 2.5V 5.8 Low thermal impedance 46 @ VGS = 1.8V 4.7 Fast switching speed Typical Applications Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media P

Otros transistores... MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , 20N50 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 .

History: MDF4N65BTH | MS50N06 | APT50M85LVFRG

 

 

 

 

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