Справочник MOSFET. MS69N68

 

MS69N68 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS69N68
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MS69N68 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  bruckewell
 ms69n68.pdf pdf_icon

MS69N68

MS69N68Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYrDS(on) (m)VDS (V) ID(A)Key Features: 22 @ VGS = 4.5V6.8 Low r trench technology DS(on)20 30 @ VGS = 2.5V5.8 Low thermal impedance 46 @ VGS = 1.8V4.7 Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media P

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPDD60R125G7 | MC11N005 | IRH9250 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.