Справочник MOSFET. MS69N68

 

MS69N68 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MS69N68
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.2 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 72 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для MS69N68

 

 

MS69N68 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  bruckewell
 ms69n68.pdf

MS69N68 MS69N68

MS69N68Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYrDS(on) (m)VDS (V) ID(A)Key Features: 22 @ VGS = 4.5V6.8 Low r trench technology DS(on)20 30 @ VGS = 2.5V5.8 Low thermal impedance 46 @ VGS = 1.8V4.7 Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top