Справочник MOSFET. MS69N68

 

MS69N68 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS69N68
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для MS69N68

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS69N68 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  bruckewell
 ms69n68.pdf pdf_icon

MS69N68

MS69N68Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYrDS(on) (m)VDS (V) ID(A)Key Features: 22 @ VGS = 4.5V6.8 Low r trench technology DS(on)20 30 @ VGS = 2.5V5.8 Low thermal impedance 46 @ VGS = 1.8V4.7 Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media P

Другие MOSFET... MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , 2N60 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 .

History: CM8N80F | AP4575GM-HF | LSE65R099GF | SSM3K03FE | IRFS645 | CTD03N003

 

 
Back to Top

 


 
.