MS6N40 Todos los transistores

 

MS6N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS6N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MS6N40 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  bruckewell
 ms6n40.pdf pdf_icon

MS6N40

MS6N40 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=650V typically @ Tj=150

Otros transistores... MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , CS150N03A8 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 .

History: APTC80H29SCTG

 

 
Back to Top

 


 
.