MS6N40 - аналоги и даташиты транзистора

 

MS6N40 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS6N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS6N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  bruckewell
 ms6n40.pdf pdf_icon

MS6N40

MS6N40 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=650V typically @ Tj=150

Другие MOSFET... MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , IRF520 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 .

History: SWD7N65M | FIR4N60LG

 

 
Back to Top

 


 
.