MS6N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS6N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MS6N80 datasheet
ms6n80.pdf
MS6N80 800V N-Channel MOSFET Description The MS6N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic C
Otros transistores... MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , IRF2807 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 .
History: SMG2342N | BSZ050N03LS
History: SMG2342N | BSZ050N03LS
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