MS6N80 - описание и поиск аналогов

 

MS6N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS6N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS6N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS6N80 даташит

 ..1. Size:998K  bruckewell
 ms6n80.pdf pdf_icon

MS6N80

MS6N80 800V N-Channel MOSFET Description The MS6N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic C

Другие MOSFET... MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , IRF2807 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 .

History: AOB254L | IMZA65R027M1H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.