Справочник MOSFET. MS6N80

 

MS6N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS6N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS6N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS6N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  bruckewell
 ms6n80.pdf pdf_icon

MS6N80

MS6N80 800V N-Channel MOSFET Description The MS6N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic C

Другие MOSFET... MS4N65 , MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , IRFB31N20D , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 .

History: IXTH6N100D2 | IPB80N04S4-04 | 30N20 | HAT2287WP | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.