MS6N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS6N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS6N90

MS6N90 Datasheet (PDF)

..1. Size:1093K bruckewell
ms6n90.pdf

MS6N90 900V N-Channel MOSFET Description The MS6N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

9.1. Size:511K bruckewell
ms6n95.pdf

MS6N95 950V N-Channel MOSFET Description The MS6N95 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge

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Liste

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