Справочник MOSFET. MS6N90

 

MS6N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS6N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1093K  bruckewell
 ms6n90.pdf pdf_icon

MS6N90

MS6N90 900V N-Channel MOSFET Description The MS6N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

 9.1. Size:511K  bruckewell
 ms6n95.pdf pdf_icon

MS6N90

MS6N95 950V N-Channel MOSFET Description The MS6N95 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge

Другие MOSFET... MS50N06 , MS5N50 , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , IRF2807 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 .

History: CES2308 | PM597BA | HM15P10D | DH009N02P | TPP60R840C

 

 
Back to Top

 


 
.