MS70N03 Todos los transistores

 

MS70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS70N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de MS70N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  bruckewell
 ms70n03.pdf pdf_icon

MS70N03

MS70N03N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)6 @ VGS = 10V75 Low thermal impedance308 @ VGS = 4.5V65 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLE

Otros transistores... MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , IRF830 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 .

History: IPP50R250CP | SML100B11F

 

 
Back to Top

 


 
.