MS70N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MS70N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MS70N03 Datasheet (PDF)
ms70n03.pdf
MS70N03N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)6 @ VGS = 10V75 Low thermal impedance308 @ VGS = 4.5V65 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLE
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918