Справочник MOSFET. MS70N03

 

MS70N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS70N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MS70N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  bruckewell
 ms70n03.pdf pdf_icon

MS70N03

MS70N03N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)6 @ VGS = 10V75 Low thermal impedance308 @ VGS = 4.5V65 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLE

Другие MOSFET... MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , IRF830 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 .

History: LSE65R125HT | DMN6040SVT

 

 
Back to Top

 


 
.