MS7N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MS7N60 datasheet
ms7n60.pdf
MS7N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS7N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple
hms7n65i hms7n65k.pdf
N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe
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History: MDF18N50BTH | BUK952R3-40E
History: MDF18N50BTH | BUK952R3-40E
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