MS7N60 Todos los transistores

 

MS7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MS7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  bruckewell
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MS7N60

MS7N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS7N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple

 9.1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

MS7N60

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

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History: AP8N8R0MT | CM50N06 | MS23P39 | ASDM3404ZA

 

 
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