MS7N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

MS7N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  bruckewell
 ms7n60.pdf pdf_icon

MS7N60

MS7N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS7N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple

 9.1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

MS7N60

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие MOSFET... MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , IRFB31N20D , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 .

 

 
Back to Top

 


 
.