MS7N60 - описание и поиск аналогов

 

MS7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS7N60 даташит

 ..1. Size:367K  bruckewell
 ms7n60.pdf pdf_icon

MS7N60

MS7N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS7N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple

 9.1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

MS7N60

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие MOSFET... MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , IRFB31N20D , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 .

History: HM20N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.