MS7N80 Todos los transistores

 

MS7N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS7N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MS7N80 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  bruckewell
 ms7n80.pdf pdf_icon

MS7N80

MS7N80 800V N-Channel MOSFET Description The MS7N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic C

Otros transistores... MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , IRFZ48N , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A .

History: STB16N65M5 | SIHF730AS | SIHF634 | 10N80L-TF2-T | BRFL7N65 | SIHA22N60AE | IRF251

 

 
Back to Top

 


 
.