MS7N80 - описание и поиск аналогов

 

MS7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS7N80 даташит

 ..1. Size:958K  bruckewell
 ms7n80.pdf pdf_icon

MS7N80

MS7N80 800V N-Channel MOSFET Description The MS7N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic C

Другие MOSFET... MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , STP65NF06 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.