Справочник MOSFET. MS7N80

 

MS7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS7N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  bruckewell
 ms7n80.pdf pdf_icon

MS7N80

MS7N80 800V N-Channel MOSFET Description The MS7N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic C

Другие MOSFET... MS6N90 , MS6N95 , MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , IRFZ48N , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A .

History: IRF3710LPBF | AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G

 

 
Back to Top

 


 
.