MS8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS8N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS8N50

MS8N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:384K bruckewell
ms8n50.pdf

MS8N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS8N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150

0.1. Size:930K cn hmsemi
hms8n50k hms8n50i.pdf

HMS8N50K/HMS8N50IHMS8N50K/HMS8N50I500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using H&M Semis - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 25nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize conduction loss, provide superior switching - Fast swi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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