MS8N50 Todos los transistores

 

MS8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS8N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MS8N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  bruckewell
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MS8N50

MS8N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS8N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150

 0.1. Size:930K  cn hmsemi
 hms8n50k hms8n50i.pdf pdf_icon

MS8N50

HMS8N50K/HMS8N50IHMS8N50K/HMS8N50I500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using H&M Semis - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 25nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize conduction loss, provide superior switching - Fast swi

Otros transistores... MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MMIS60R580P , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A .

History: VN2460N3 | 12P10G-AA3-R | 12N60G-TF1-T | GSM1072E | 12N70KG-TQ2-R | 12N70G-TF1-T | 2N3459

 

 
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