Справочник MOSFET. MS8N50

 

MS8N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS8N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS8N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS8N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  bruckewell
 ms8n50.pdf pdf_icon

MS8N50

MS8N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS8N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150

 0.1. Size:930K  cn hmsemi
 hms8n50k hms8n50i.pdf pdf_icon

MS8N50

HMS8N50K/HMS8N50IHMS8N50K/HMS8N50I500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using H&M Semis - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 25nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize conduction loss, provide superior switching - Fast swi

Другие MOSFET... MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MMIS60R580P , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A .

History: APT4525AN | BLM4953 | FDD45AN06LA0 | NDP608AE | APT5010B2LL | HFS6N70U | IPA80R600P7

 

 
Back to Top

 


 
.