MS8N50 - описание и поиск аналогов

 

MS8N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS8N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS8N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS8N50 даташит

 ..1. Size:384K  bruckewell
 ms8n50.pdf pdf_icon

MS8N50

 0.1. Size:930K  cn hmsemi
 hms8n50k hms8n50i.pdf pdf_icon

MS8N50

HMS8N50K/HMS8N50I HMS8N50K/HMS8N50I 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using H&M Semi s - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 25nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize conduction loss, provide superior switching - Fast swi

Другие MOSFET... MS70N03 , MS74N52 , MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , 7N60 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A .

History: HM4606D | TPC8031-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.