MS99N45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS99N45
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 4 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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MS99N45 Datasheet (PDF)

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ms99n45.pdf

MS99N45N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)89 @ VGS = 10V3.6 Low thermal impedance 60104 @ VGS = 4.5V3.4 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

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Liste

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