MS99N45 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS99N45
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
Encapsulados: SO-8
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MS99N45 datasheet
ms99n45.pdf
MS99N45 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 89 @ VGS = 10V 3.6 Low thermal impedance 60 104 @ VGS = 4.5V 3.4 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
Otros transistores... MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , IRFZ46N , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A .
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