MS99N45 - описание и поиск аналогов

 

MS99N45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS99N45

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для MS99N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS99N45 даташит

 ..1. Size:530K  bruckewell
ms99n45.pdfpdf_icon

MS99N45

MS99N45 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 89 @ VGS = 10V 3.6 Low thermal impedance 60 104 @ VGS = 4.5V 3.4 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

Другие MOSFET... MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , IRFZ46N , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.