Справочник MOSFET. MS99N45

 

MS99N45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS99N45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MS99N45

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS99N45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  bruckewell
 ms99n45.pdf pdf_icon

MS99N45

MS99N45N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)89 @ VGS = 10V3.6 Low thermal impedance 60104 @ VGS = 4.5V3.4 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

Другие MOSFET... MS74N62 , MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , STP65NF06 , MS9N20E , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A .

History: SQS850EN | RU40190S | EFC2K107NUZ | HD830 | P80NF55-08 | IRLML6401GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.