MS9N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS9N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MS9N90 datasheet
ms9n90.pdf
MS9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MS9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charge (
Otros transistores... MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , IRLB3034 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A , MSAFR30N20A .
History: IPD038N06N3 | FQI4N80 | MDF11N60TH
History: IPD038N06N3 | FQI4N80 | MDF11N60TH
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