Справочник MOSFET. MS9N90

 

MS9N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS9N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS9N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  bruckewell
 ms9n90.pdf pdf_icon

MS9N90

MS9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MS9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charge (

Другие MOSFET... MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , 60N06 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A , MSAFR30N20A .

History: FS16SM-6 | HM2309C | MT06N020AL | SFS08R08DF | IRF6727M | WMM36N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.