MSAEZ50N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSAEZ50N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 225 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-276AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSAEZ50N10A

MSAEZ50N10A Datasheet (PDF)

..1. Size:44K microsemi
msaez50n10a msafz50n10a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAEZ50N10AFAX: (714) 966-5256MSAFZ50N10AFeatures100 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)50 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability35 m Hermetically sealed, surface mount power package Low pa

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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