Справочник MOSFET. MSAEZ50N10A

 

MSAEZ50N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSAEZ50N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 225 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AB

 Аналог (замена) для MSAEZ50N10A

 

 

MSAEZ50N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  microsemi
 msaez50n10a msafz50n10a.pdf

MSAEZ50N10A MSAEZ50N10A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAEZ50N10AFAX: (714) 966-5256MSAFZ50N10AFeatures100 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)50 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability35 m Hermetically sealed, surface mount power package Low pa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top