MSB15N60 Todos los transistores

 

MSB15N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSB15N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

MSB15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  bruckewell
 msb15n60.pdf pdf_icon

MSB15N60

Preliminary_MSB15N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSB15N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-263 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resista

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History: MDU1532SURH | 2SK2749 | BUK7616-55A | CSD85312Q3E | AP98T03GP-HF | STM6920A

 

 
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