MSB15N60 Todos los transistores

 

MSB15N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSB15N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de MSB15N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSB15N60 datasheet

 ..1. Size:430K  bruckewell
 msb15n60.pdf pdf_icon

MSB15N60

Preliminary_MSB15N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSB15N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-263 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resista

Otros transistores... MSAFR12N50A , MSAFR30N20A , MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , IRF3205 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 .

History: AP6N3R1LH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.