Справочник MOSFET. MSB15N60

 

MSB15N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSB15N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MSB15N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSB15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  bruckewell
 msb15n60.pdf pdf_icon

MSB15N60

Preliminary_MSB15N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSB15N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-263 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resista

Другие MOSFET... MSAFR12N50A , MSAFR30N20A , MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , IRF3205 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 .

 

 
Back to Top

 


 
.