MSB22A04Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSB22A04Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
MSB22A04Q8 Datasheet (PDF)
msb22a04q8.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon Product Specification Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MSB22A04Q8 Description The MSB22A04Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all comme
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AON3402 | HUF75623P3 | HUF75321D3S | AON3806 | SSG4394N | NDT451N | STS4DPF30L
History: AON3402 | HUF75623P3 | HUF75321D3S | AON3806 | SSG4394N | NDT451N | STS4DPF30L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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