MSB22A04Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSB22A04Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Tiempo de subida (tr): 9.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
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MSB22A04Q8 Datasheet (PDF)
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Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon Product Specification Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MSB22A04Q8 Description The MSB22A04Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all comme
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