MSB22A04Q8 Todos los transistores

 

MSB22A04Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSB22A04Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de MSB22A04Q8 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSB22A04Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  bruckewell
 msb22a04q8.pdf pdf_icon

MSB22A04Q8

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon Product Specification Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MSB22A04Q8 Description The MSB22A04Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all comme

Otros transistores... MSAFR30N20A , MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , IRF740 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 .

History: ISCNL343D | WSP4805

 

 
Back to Top

 


 
.