Справочник MOSFET. MSB22A04Q8

 

MSB22A04Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSB22A04Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MSB22A04Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSB22A04Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  bruckewell
 msb22a04q8.pdf pdf_icon

MSB22A04Q8

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon Product Specification Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MSB22A04Q8 Description The MSB22A04Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all comme

Другие MOSFET... MSAFR30N20A , MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , IRF740 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 .

History: 2SK616 | HMS8N65D | NDH834P | ME4485-G | IRLIZ34GPBF | FM200TU-2A | HYG055N08NS1C2

 

 
Back to Top

 


 
.