MSB55N03N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSB55N03N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 2.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSB55N03N3
MSB55N03N3 Datasheet (PDF)
..1. Size:1004K bruckewell
msb55n03n3.pdf
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Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET Product Specification MSB55N03N3 FEATURES: VDS=30V RDS(ON)=55m@VGS=10V, ID=3.5A BVDSS : 30V RDS(ON)=85m@VGS=4.5V, ID=2A RDS(ON) : 55m(typ.) Lower gate charge ID : 3.5A Pb-free lead plating and Halogen-free package Bruckewell Tech
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