MSB55N03N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSB55N03N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSB55N03N3

MSB55N03N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:1004K bruckewell
msb55n03n3.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET Product Specification MSB55N03N3 FEATURES: VDS=30V RDS(ON)=55m@VGS=10V, ID=3.5A BVDSS : 30V RDS(ON)=85m@VGS=4.5V, ID=2A RDS(ON) : 55m(typ.) Lower gate charge ID : 3.5A Pb-free lead plating and Halogen-free package Bruckewell Tech

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History: BMS4007

Liste

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