Справочник MOSFET. MSB55N03N3

 

MSB55N03N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSB55N03N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MSB55N03N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSB55N03N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  bruckewell
 msb55n03n3.pdf pdf_icon

MSB55N03N3

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET Product Specification MSB55N03N3 FEATURES: VDS=30V RDS(ON)=55m@VGS=10V, ID=3.5A BVDSS : 30V RDS(ON)=85m@VGS=4.5V, ID=2A RDS(ON) : 55m(typ.) Lower gate charge ID : 3.5A Pb-free lead plating and Halogen-free package Bruckewell Tech

Другие MOSFET... MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , IRF840 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 .

History: SI4818DY | JCS4N60C | LD1014D | BSS806N | TK3R3A06PL | SSF1030B | P80NF55-08

 

 
Back to Top

 


 
.