Справочник MOSFET. MSB55N03N3

 

MSB55N03N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSB55N03N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSB55N03N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  bruckewell
 msb55n03n3.pdf pdf_icon

MSB55N03N3

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET Product Specification MSB55N03N3 FEATURES: VDS=30V RDS(ON)=55m@VGS=10V, ID=3.5A BVDSS : 30V RDS(ON)=85m@VGS=4.5V, ID=2A RDS(ON) : 55m(typ.) Lower gate charge ID : 3.5A Pb-free lead plating and Halogen-free package Bruckewell Tech

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.