MSB55N03N3 - описание и поиск аналогов

 

MSB55N03N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSB55N03N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MSB55N03N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSB55N03N3 даташит

 ..1. Size:1004K  bruckewell
 msb55n03n3.pdf pdf_icon

MSB55N03N3

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell.com/semicon 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET Product Specification MSB55N03N3 FEATURES VDS=30V RDS(ON)=55m @VGS=10V, ID=3.5A BVDSS 30V RDS(ON)=85m @VGS=4.5V, ID=2A RDS(ON) 55m (typ.) Lower gate charge ID 3.5A Pb-free lead plating and Halogen-free package Bruckewell Tech

Другие MOSFET... MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , IRF840 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.