MSC22N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSC22N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSC22N03

MSC22N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:708K bruckewell
msc22n03.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MSC22N03 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as compu

9.1. Size:112K motorola
msc2295-bt1rev0dx.pdf

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9.2. Size:41K onsemi
msc2295-bt1-d.pdf

MSC2295-BT1,MSC2295-CT1Preferred Device NPN RF AmplifierTransistors Surface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 30 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 20 Vdc2 1Emitter-Base Voltage V(BR)EBO 5.0 VdcBASE EMITTERCollector Current - Continuous

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Liste

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