MSC22N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSC22N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
MSC22N03 Datasheet (PDF)
msc22n03.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MSC22N03 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as compu
msc2295-bt1rev0dx.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSC2295BT1/DNPN RF Amplifier TransistorsMSC2295-BT1Surface MountMSC2295-CT1COLLECTORMotorola Preferred Devices3322 11BASE EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)CASE 318D03, STYLE 1Rating Symbol Value UnitSC59CollectorBase Voltage V(BR)CBO 30 VdcCollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 20 Vdc
msc2295-bt1-d.pdf
MSC2295-BT1,MSC2295-CT1Preferred Device NPN RF AmplifierTransistors Surface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 30 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 20 Vdc2 1Emitter-Base Voltage V(BR)EBO 5.0 VdcBASE EMITTERCollector Current - Continuous
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
