MTC1421G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTC1421G6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de MTC1421G6 MOSFET
MTC1421G6 Datasheet (PDF)
mtc1421g6.pdf

Spec. No. : C832G6 Issued Date : 2012.09.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.24 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH (Q1) P-CH (Q2) MTC1421G6 BVDSS 20V -20VID 2A(VGS=4.5V) -1.5A(VGS=-4.5V) 73m(VGS=4.5V) 170m(VGS=-4.5V)RDSON(TYP.) 92m(VGS=2.5V) 224m(VGS=-2.5V)147m(VGS=1.8V) 340m(VGS=-1.8V)Features Simple drive
Otros transistores... MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , IRF540N , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 .
History: 24NM60G-T3P-T | WPM2048 | NCEP40T11AK | APM9928K | NCEP008NH40ASL | AP2314GN | FHP4N65D
History: 24NM60G-T3P-T | WPM2048 | NCEP40T11AK | APM9928K | NCEP008NH40ASL | AP2314GN | FHP4N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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