MTC1421G6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTC1421G6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Encapsulados: TSOP-6
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MTC1421G6 datasheet
mtc1421g6.pdf
Spec. No. C832G6 Issued Date 2012.09.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.10.24 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH (Q1) P-CH (Q2) MTC1421G6 BVDSS 20V -20V ID 2A(VGS=4.5V) -1.5A(VGS=-4.5V) 73m (VGS=4.5V) 170m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 92m (VGS=2.5V) 224m (VGS=-2.5V) 147m (VGS=1.8V) 340m (VGS=-1.8V) Features Simple drive
Otros transistores... MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , IRF540 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 .
History: AGMH606C
History: AGMH606C
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Liste
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