MTC1421G6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTC1421G6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для MTC1421G6
MTC1421G6 Datasheet (PDF)
mtc1421g6.pdf

Spec. No. : C832G6 Issued Date : 2012.09.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.24 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH (Q1) P-CH (Q2) MTC1421G6 BVDSS 20V -20VID 2A(VGS=4.5V) -1.5A(VGS=-4.5V) 73m(VGS=4.5V) 170m(VGS=-4.5V)RDSON(TYP.) 92m(VGS=2.5V) 224m(VGS=-2.5V)147m(VGS=1.8V) 340m(VGS=-1.8V)Features Simple drive
Другие MOSFET... MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , IRF540 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 .
History: NCE30ND09S
History: NCE30ND09S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor