MTC1421G6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC1421G6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.6 nC
Время нарастания (tr): 16.6 ns
Выходная емкость (Cd): 27 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.095 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
MTC1421G6 Datasheet (PDF)
mtc1421g6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C832G6 Issued Date : 2012.09.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.24 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH (Q1) P-CH (Q2) MTC1421G6 BVDSS 20V -20VID 2A(VGS=4.5V) -1.5A(VGS=-4.5V) 73m(VGS=4.5V) 170m(VGS=-4.5V)RDSON(TYP.) 92m(VGS=2.5V) 224m(VGS=-2.5V)147m(VGS=1.8V) 340m(VGS=-1.8V)Features Simple drive
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![MTC1421G6](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MTC1421G6](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MTC1421G6](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C