Справочник MOSFET. MTC1421G6

 

MTC1421G6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC1421G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для MTC1421G6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC1421G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  cystek
 mtc1421g6.pdf pdf_icon

MTC1421G6

Spec. No. : C832G6 Issued Date : 2012.09.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.24 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH (Q1) P-CH (Q2) MTC1421G6 BVDSS 20V -20VID 2A(VGS=4.5V) -1.5A(VGS=-4.5V) 73m(VGS=4.5V) 170m(VGS=-4.5V)RDSON(TYP.) 92m(VGS=2.5V) 224m(VGS=-2.5V)147m(VGS=1.8V) 340m(VGS=-1.8V)Features Simple drive

Другие MOSFET... MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , IRF540N , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , MTD10N10ELT4 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 .

History: MTBA6C15Q8 | RCJ100N25 | STD13N60DM2 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.