MTD10N10ELT4 Todos los transistores

 

MTD10N10ELT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD10N10ELT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: DPAK

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MTD10N10ELT4 datasheet

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MTD10N10ELT4

MTD10N10EL TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate http //onsemi.com This advanced TMOS E-FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient VDSS RDS(ON) TYP ID MAX design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. 100 V Designed for low volta

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MTD10N10ELT4

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD10N10EL/D Designer's Data Sheet MTD10N10EL TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 10 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.22 OHM energy in the avalanch

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History: FQP13N10L | CHM3U33SESGP

 

 

 

 

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