MTD10N10ELT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTD10N10ELT4
Código: 10N10EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4 Datasheet (PDF)
mtd10n10elt4.pdf
MTD10N10ELTMOS E-FETPower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountN-Channel Enhancement-Mode SiliconGatehttp://onsemi.comThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high energyin the avalanche and commutation modes. The new energy efficientVDSS RDS(ON) TYP ID MAXdesign also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time.100 VDesigned for low volta
mtd10n10e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD10N10EL/DDesigner's Data SheetMTD10N10ELTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.22 OHMenergy in the avalanch
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F