Справочник MOSFET. MTD10N10ELT4

 

MTD10N10ELT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTD10N10ELT4
   Маркировка: 10N10EL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для MTD10N10ELT4

 

 

MTD10N10ELT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  onsemi
 mtd10n10elt4.pdf

MTD10N10ELT4 MTD10N10ELT4

MTD10N10ELTMOS E-FETPower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountN-Channel Enhancement-Mode SiliconGatehttp://onsemi.comThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high energyin the avalanche and commutation modes. The new energy efficientVDSS RDS(ON) TYP ID MAXdesign also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time.100 VDesigned for low volta

 5.1. Size:252K  motorola
 mtd10n10e.pdf

MTD10N10ELT4 MTD10N10ELT4

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD10N10EL/DDesigner's Data SheetMTD10N10ELTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.22 OHMenergy in the avalanch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top