Справочник MOSFET. MTD10N10ELT4

 

MTD10N10ELT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD10N10ELT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD10N10ELT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  onsemi
 mtd10n10elt4.pdf pdf_icon

MTD10N10ELT4

MTD10N10ELTMOS E-FETPower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountN-Channel Enhancement-Mode SiliconGatehttp://onsemi.comThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high energyin the avalanche and commutation modes. The new energy efficientVDSS RDS(ON) TYP ID MAXdesign also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time.100 VDesigned for low volta

 5.1. Size:252K  motorola
 mtd10n10e.pdf pdf_icon

MTD10N10ELT4

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD10N10EL/DDesigner's Data SheetMTD10N10ELTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.22 OHMenergy in the avalanch

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.