MTD10N10ELT4 - описание и поиск аналогов

 

MTD10N10ELT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTD10N10ELT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для MTD10N10ELT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD10N10ELT4 даташит

 ..1. Size:78K  onsemi
 mtd10n10elt4.pdf pdf_icon

MTD10N10ELT4

MTD10N10EL TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate http //onsemi.com This advanced TMOS E-FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient VDSS RDS(ON) TYP ID MAX design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. 100 V Designed for low volta

 5.1. Size:252K  motorola
 mtd10n10e.pdf pdf_icon

MTD10N10ELT4

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD10N10EL/D Designer's Data Sheet MTD10N10EL TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 10 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.22 OHM energy in the avalanch

Другие MOSFET... MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , IRFZ44 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 , MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 , MTD6N15T4G .

History: CHM3203CMGP | FDZ191P | PD696BA | LSGC03R020 | IRFSL3006PBF | PD6A8BA | MTM23223

 

 

 

 

↑ Back to Top
.