Справочник MOSFET. MTD10N10ELT4

 

MTD10N10ELT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD10N10ELT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для MTD10N10ELT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD10N10ELT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  onsemi
 mtd10n10elt4.pdf pdf_icon

MTD10N10ELT4

MTD10N10ELTMOS E-FETPower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountN-Channel Enhancement-Mode SiliconGatehttp://onsemi.comThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high energyin the avalanche and commutation modes. The new energy efficientVDSS RDS(ON) TYP ID MAXdesign also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time.100 VDesigned for low volta

 5.1. Size:252K  motorola
 mtd10n10e.pdf pdf_icon

MTD10N10ELT4

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD10N10EL/DDesigner's Data SheetMTD10N10ELTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.22 OHMenergy in the avalanch

Другие MOSFET... MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 , MTC5806V8 , IRFZ44 , MTD120C10J4 , MTD20P03HDLT4 , MTD20P06HDLT4 , MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 , MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 , MTD6N15T4G .

History: IRFB4115GPBF | SWP630D | IRFP4905 | RU6050L | SIR871DP | SSP70R450S2

 

 
Back to Top

 


 
.