MTD6P10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTD6P10E
Código: T6P10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.66 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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MTD6P10E Datasheet (PDF)
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