MTD6P10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTD6P10E
Código: T6P10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15.3 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 154 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.66 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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MTD6P10E Datasheet (PDF)
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