MTD6P10E - описание и поиск аналогов

 

MTD6P10E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTD6P10E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для MTD6P10E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD6P10E даташит

 ..1. Size:261K  motorola
 mtd6p10e.pdf pdf_icon

MTD6P10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD6P10E/D Designer's Data Sheet MTD6P10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.66 OHM energy in the avalanche a

 ..2. Size:206K  onsemi
 mtd6p10e.pdf pdf_icon

MTD6P10E

MTD6P10E Preferred Device Power MOSFET 6 Amps, 100 Volts P-Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also http //onsemi.com offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor control

 0.1. Size:865K  cn vbsemi
 mtd6p10et4.pdf pdf_icon

MTD6P10E

Другие MOSFET... MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 , MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 , MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , IRFB4115 , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 .

History: NCEP0116K | AO7415

 

 

 

 

↑ Back to Top
.