MTD6P10E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTD6P10E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для MTD6P10E
MTD6P10E Datasheet (PDF)
mtd6p10e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD6P10E/DDesigner's Data SheetMTD6P10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 6.0 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.66 OHMenergy in the avalanche a
mtd6p10e.pdf

MTD6P10EPreferred DevicePower MOSFET6 Amps, 100 VoltsP-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,converters and PWM motor control
mtd6p10et4.pdf

MTD6P10ET4www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 Power Switch
Другие MOSFET... MTD2955VT4 , MTD5P06VT4 , MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 , MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , IRFP250N , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 .
History: IPP075N15N3G | R6530KNX1 | 2SK1751 | IRF7404TR | SSRF30N20-400 | IPP100N10S3-05 | TK70X06K3
History: IPP075N15N3G | R6530KNX1 | 2SK1751 | IRF7404TR | SSRF30N20-400 | IPP100N10S3-05 | TK70X06K3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor