MTD6P10E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTD6P10E
Маркировка: T6P10E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.3 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 154 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.66 Ohm
Тип корпуса: DPAK
MTD6P10E Datasheet (PDF)
mtd6p10e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD6P10E/DDesigner's Data SheetMTD6P10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 6.0 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.66 OHMenergy in the avalanche a
mtd6p10e.pdf
MTD6P10EPreferred DevicePower MOSFET6 Amps, 100 VoltsP-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,converters and PWM motor control
mtd6p10et4.pdf
MTD6P10ET4www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 Power Switch
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
