MTE05N10FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE05N10FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
Encapsulados: TO-220FP
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MTE05N10FP datasheet
mte05n10fp.pdf
Spec. No. C928FP Issued Date 2015.03.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE05N10FP ID @ VGS=10V, TC=25 C 109A 5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A 6.2m RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Ch
mte05n10e3.pdf
Spec. No. C928E3 Issued Date 2013.11.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.12 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE05N10E3 ID 140A 5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 6.2m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Charact
mte050n15brv8.pdf
Spec. No. C033V8 Issued Date 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8 BVDSS 150V ID @ TC=25 C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25 C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi
Otros transistores... MTD6N15T4 , MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , 8205A , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 .
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